JA1HHF日高OMの設計です。
2CH メモリーキーヤーです。
50mm x 50mmで小型です。
実質2chあれば十分に足ります。
写真は完成図ですが、頒布予定品は部品セットです。
PICを焼く必要があるので、準備中とします。
頒布価格は2,200円送料込み(クリックポスト)です。
反響があれば急ぎます。
※ JA1HHF日高OMには、許可を取っています。以前加入していた地元クラブでの製作会で使いましたが、部品を当方が準備したので余り部品が発生しました。
月: 2021年10月
理想ダイオードの部品セットです。
理想ダイオードは、順方向電圧(Vf)のほぼゼロなダイオードです。
LTC4412でコントロールしています。
PチャンネルMOS FETは2SJ673で、ドレイン電流36A、オン抵抗17mΩと、低い抵抗値です。(発熱が少ない)
基板の大きさは25mm X 50mmと小型です。
基板、端子台4つ、2SJ673、LTC4412のセットで、送料込み(クリックポスト)2,000円です。
プリント基板の在庫が切れたので、しばらく頒布を休憩致します。
ご質問やその他お問い合わせはコメントからお願い致します。
LTC4412はゴマ粒ほどに小さくて、吹けば飛びますし、シルク印刷も見にくく苦労します。
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制作例(使用例)
移動運用にサブバッテリーを走行中に充電します。
順方向電圧が極小なので、メインバッテリー同様にフル充電できます。
また逆流しないので、エンジン始動(セル)時に吸い取られません。
安全のため、メインバッテリーからは20A程度のFUSEを入れます。
参考：
データシート
LTC4412 ・低消費電流：11μA ・バッテリ電圧範囲：2.5V~28V
2SJ673 ・ドレイン電流(DC)：36A ・ドレイン・ソース間オン抵抗：17mΩ ・許容損失(25℃)：32W
使用例：
MOS FETのON抵抗 17mΩとして、ディレーティング無しでMaxの36Aの電流を流したと過程すると、このMOS FETでの発熱は22Wとなります。
ディレーティングで20Aまでとすれば、6.8Wです。
ナツメ電球が5Wですから、その同程度の発熱があるので放熱器が必要です。
実際には常時20Aもバッテリー充電に流れません。
5Aからせいぜい10Aになるように工夫した方がバッテリーのためにもなります。
10Aであれば1.7Wの発熱です。
P(watt)は電流の二乗で効いてきます。
ちなみに17mΩに20Aを流すと0.34Vの電圧降下です。これは一般的なシリコンダイオードのVf=0.7Vに比較して半分です。
すなわち、シリコンダイオードに20Aを流すと14Wも発熱します。10Aであれば7Wです。
シリコンダイオード 理想ダイオード
5A時 3.5W 0.4W
10A時 7W 1.7W
20A時 14W 6.8W
更にこれだけではありません。
5A時の電圧降下は0.085Vです。
2A時の電圧降下は0.034Vです。もう無視できる電圧降下です。
言わんとすることは、メインバッテリーからサブバッテリーへの充電は満充電まで行えることが最大の利点です。
余談ですが、シリコンダイオードに大電流を流すとアッチッチになります。
なので、放熱器やシャーシにネジ止めして放熱するのが前提です。
大電流ダイオードブリッジの例
ICOM トランシーバー用 メモリーキーパッドです。
25mmx50mmと小型で、電鍵に貼り付けることができます。
表面実装SMDタイプの抵抗器または一般的なリードタイプを選択できます。
１セット 1,000円 送料込み(クリックポスト)
ご入用の方はご連絡くださいませ。
使用例です
トランジスタ2石で簡単な低周波発振器を作成しました。
モールス送信練習にも使用できます。
ご興味の方はお知らせください。
名張夢クラブで製作会を開催します。
基板上の部品セットなどはこちらで用意します。
(スピーカなど、入手できるもので代用もあります)
参加費用1,500円程度を考えています。
