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お知らせ 部品セット頒布 電子工作

[頒布予告]JA1HHF日高OM設計 2chメモリーキーヤー

JA1HHF日高OMの設計です。

2CH メモリーキーヤーです。

50mm x 50mmで小型です。

実質2chあれば十分に足ります。

写真は完成図ですが、頒布予定品は部品セットです。

PICを焼く必要があるので、準備中とします。

頒布価格は2,200円送料込み(クリックポスト)です。

反響があれば急ぎます。

※ JA1HHF日高OMには、許可を取っています。以前加入していた地元クラブでの製作会で使いましたが、部品を当方が準備したので余り部品が発生しました。

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[頒布]理想ダイオード部品セット

理想ダイオードの部品セットです。

理想ダイオードは、順方向電圧(Vf)のほぼゼロなダイオードです。

LTC4412でコントロールしています。

PチャンネルMOS FETは2SJ673で、ドレイン電流36A、オン抵抗17mΩと、低い抵抗値です。(発熱が少ない)

基板の大きさは25mm X 50mmと小型です。

基板、端子台4つ、2SJ673、LTC4412のセットで、送料込み(クリックポスト)2,000円です。

ご質問やその他お問い合わせはコメントからお願い致します。

LTC4412はゴマ粒ほどに小さくて、吹けば飛びますし、シルク印刷も見にくく苦労します。

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制作例(使用例)

移動運用にサブバッテリーを走行中に充電します。

順方向電圧が極小なので、メインバッテリー同様にフル充電できます。

また逆流しないので、エンジン始動(セル)時に吸い取られません。

安全のため、メインバッテリーからは20A程度のFUSEを入れます。

参考:
データシート
LTC4412 ・低消費電流:11μA ・バッテリ電圧範囲:2.5V~28V

2SJ673 ・ドレイン電流(DC):36A ・ドレイン・ソース間オン抵抗:17mΩ ・許容損失(25℃):32W

使用例:


MOS FETのON抵抗 17mΩとして、ディレーティング無しでMaxの36Aの電流を流したと過程すると、このMOS FETでの発熱は22Wとなります。
ディレーティングで20Aまでとすれば、6.8Wです。
ナツメ電球が5Wですから、その同程度の発熱があるので放熱器が必要です。
実際には常時20Aもバッテリー充電に流れません。
5Aからせいぜい10Aになるように工夫した方がバッテリーのためにもなります。
10Aであれば1.7Wの発熱です。
P(watt)は電流の二乗で効いてきます。
ちなみに17mΩに20Aを流すと0.34Vの電圧降下です。これは一般的なシリコンダイオードのVf=0.7Vに比較して半分です。
すなわち、シリコンダイオードに20Aを流すと14Wも発熱します。10Aであれば7Wです。

    シリコンダイオード   理想ダイオード
5A時    3.5W          0.4W
10A時    7W          1.7W
20A時    14W         6.8W

更にこれだけではありません。
5A時の電圧降下は0.085Vです。
2A時の電圧降下は0.034Vです。もう無視できる電圧降下です。
言わんとすることは、メインバッテリーからサブバッテリーへの充電は満充電まで行えることが最大の利点です。

余談ですが、シリコンダイオードに大電流を流すとアッチッチになります。
なので、放熱器やシャーシにネジ止めして放熱するのが前提です。
大電流ダイオードブリッジの例
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[頒布]ICOM RIG用メモリーキーパッド

ICOM トランシーバー用 メモリーキーパッドです。

25mmx50mmと小型で、電鍵に貼り付けることができます。

表面実装SMDタイプの抵抗器または一般的なリードタイプを選択できます。

1セット 1,000円 送料込み(クリックポスト)

ご入用の方はご連絡くださいませ。

使用例です

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低周波発振器の製作

トランジスタ2石で簡単な低周波発振器を作成しました。

モールス送信練習にも使用できます。

ご興味の方はお知らせください。

名張夢クラブで製作会を開催します。

基板上の部品セットなどはこちらで用意します。

(スピーカなど、入手できるもので代用もあります)

参加費用1,500円程度を考えています。